二维(2D)纳米材料的柔性存储设备是下一代可穿戴市场的关键元素，它在数据存储、处理和通信中发挥着至关重要的作用。

用几纳米(nm)的二维纳米材料制成的超薄存储器件，可以显着提高存储密度，从而开发出采用二维纳米材料实现的柔性可变电阻存储器。然而，由于纳米材料的弱载流子俘获特性，使用传统二维纳米材料的存储器具有一定的局限性。

韩国科学技术研究院（Korea Institute of Science and Technology）先进复合材料研究所团队近日宣布开发了一种基于异质低维超薄纳米结构的透明、灵活的存储器件。为此，形成了单层零维（0D）量子点，并将其夹在两个绝缘的二维六方氮化硼（h-BN）超薄纳米材料结构之间。

研究小组通过将具有优异量子限制特性的0D量子点引入有源层，控制二维纳米材料中的载流子，制造出了一种可以成为下一代存储器候选者的设备。

在此基础上，0D量子点被塑造成垂直堆叠的复合结构，夹在2D六边形h-BN纳米材料之间，从而产生透明且灵活的器件。因此，开发的设备即使在弯曲时也能保持80%以上的透明度和记忆功能。

研究人员表示，团队通过利用绝缘六方h-BN上的量子点堆叠控制技术代替导电石墨烯，奠定了超薄纳米复合结构研究的基础，并揭示了下一代存储器件的制造和驱动原理。研究团队计划在未来将异质低维纳米材料组成的堆栈控制技术系统化，并扩大其应用范围。

题为Memory effect of vertically stacked hBN/QDs/hBN structures based on quantum-dot monolayers sandwiched between hexagonal boron nitride layer的相关研究论文发表在《复合材料B部分：工程》（Composites Part B: Engineering）上。

前瞻经济学人APP资讯组

论文原文：

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1359836821006818?via%3Dihub

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